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晶体管基础元器件在印刷行业中可以采用四种结构

CINNO ? 2018-05-17 10:01 ? 次阅读

目前在印刷行业中,更多的是采用印刷工艺来制备,而很少采用印刷工艺来制备,最主要的原因目前印刷工艺的精度和稳定性不够。但印刷工艺制备的电子由于可以采用柔性基底的原因,其应用场景会远远大于硅基器件。因此,科研人员一直试图通过改善和优化印刷工艺,以及改变基础元器件结构,来提高基础元器件的性能与稳定性。此外,电子元器件的结构和硅基器件不同,由于印刷娱乐城白菜论坛的本质多是在柔性基底上通过不同的油墨来形成器件,因此,采用上下多层叠加结构的元器件,更加适用于印刷方式。

电容基础元器件

电容元器件在印刷行业中可以采用底电极、介电层、顶电极的三层结构来实现,如下图所示:

该结构可以通过介电层上墨水的介电系数、介电层厚度、电容元器件面积来控制电容元器件的电容值。介电层墨水的介电系数越高、介电层的厚度越低、电容元器件的面积越大,该电容元器件的电容值就越大。

下图为全喷墨打印的电容元器件:

基础元器件

电阻基础元器件在印刷行业中可以只需要一层导电油墨就能完成,如下图所示:

该结构可以通过导电油墨的导电性、印刷导线的和厚度、印刷导线长度来控制电阻元器件的电阻值。导电油墨的导电性越低、印刷导线的线宽越窄厚度越薄、印刷导线长度越长,该电阻元器件的电阻值越高。

下图为全喷墨打印的电阻元器件:

基础元器件

电感基础元器件在印刷行业中可以采用底电极、绝缘层、顶电极这三层结构来实现,如下图:

该结构可以通过导电油墨的导电性、线圈绕的圈数来控制电感元器件的电感值,通常导电油墨的导电性越高、线圈绕的圈数越多,该电感元器件的电感值越高。

下图为全喷墨打印的电感元器件:

晶体管基础元器件

晶体管基础元器件在印刷行业中可以采用四种结构,基本组成为:栅极、介电层、源漏电极、半导体层这四层结构。如下图所示:

底栅底接触

底栅顶接触

顶栅底接触

顶栅顶接触

该结构可以通过源漏电极的长宽、介电层的厚度与介电系数、半导体层油墨等多种因素来控制晶体管元器件的开关比和迁移率等。理论上是开关比和迁移率越高晶体管元器件的性能越好

下图为全喷墨打印的晶体管元器件:

原文标题:干货!印刷基础元器件的结构介绍

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4N36M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N35M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 ? 44次 阅读
4N35M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N25M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息通用光电耦合器包含一个砷化镓红外发光二极管,用于驱动硅光敏晶体管,采用标准塑料六引脚双列封装。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比:?4N27M 和 4N28M 为 10%?4N25M 和 4N26M 为 20%?4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证:?UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟)?DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于 04-18 19:38 ? 46次 阅读
4N25M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N28M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)
发表于 04-18 19:38 ? 34次 阅读
4N28M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N26M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比:?4N27M 和 4N28M 为 10%?4N25M 和 4N26M 为 20%?4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证:?UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟)?DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压
发表于 04-18 19:38 ? 37次 阅读
4N26M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

4N27M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。AC-DC商用电源消费型设备工业级电机
发表于 04-18 19:38 ? 43次 阅读
4N27M 6引脚DIP封装光电晶体管输出光电耦合器

55GN01MA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP

信息 55GN01MA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz典型 高增益:正向传输增益= 10dB典型值(f = 1GHz)
发表于 04-18 19:37 ? 33次 阅读
55GN01MA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP

55GN01FA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP

信息 55GN01FA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP,用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz(典型值) 高增益。前向传输增益= 19dB(典型值)[f = 400MHz] 超小型封装允许应用集小 无卤素合规。
发表于 04-18 19:37 ? 37次 阅读
55GN01FA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP

50A02CH 双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单

信息 50A02CH是双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单用于低频通用放大器应用。 高集电极电流能力 低集电极至发射极饱和电压(电阻): RCE(sat)typ =210mΩ[IC = 0.5A,IB = 50mA] 低导通电阻(Ron) 无铅,无卤素且符合RoHS标准
发表于 04-18 19:37 ? 30次 阅读
50A02CH 双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单