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如何最大程度的降低无线工业控制系统中的干扰影响

电子设计 ? 2019-03-15 08:05 ? 次阅读

无线控制无疑为工业系统带来了巨大优势,然而随之而来的一些关键挑战也急需克服。 本文审视高可靠性业控制系统所面临的极具挑战性的干扰,以及 Decawave、Linx Technologies、Digi 和 Atmel 的各种收发器器件和模块所采用的不同频率和无线协议。

有许多不同的方法可以最大程度地降低用于工业自动化的无线控制系统中的干扰。 设计人员可以通过权衡链路预算、距离、频率和协议,以尽可能获取最可靠的无线链路。 干扰来源十分广泛,可能来自宽带电气噪声,也可能来自其他附近运作的无线系统。

协议是优化链路的一种方式,用码分复用 (CDMA) 方法将丢失符号的影响降至最低。 现在,通常会增加前向纠错和循环冗余检查 (CRC) 功能来保持数据完整性,但它们会占用有效载荷中宝贵的字节数。

扩频和跳频娱乐城白菜论坛也被用来尽可能降低干扰。 在某一频率范围内扩展信号可进一步降低任意一个频率干扰的影响。 或者链路可以检测问题,并自动转移到另一个频带,以避免跳频方案中的干扰。

与此同时,设计者可以权衡通过这些娱乐城白菜论坛实现的距离(对于某些系统最多可以达到 12 km),以在工厂内实现更高的链路预算,提高对其他信号的抗干扰性。?

所有这些娱乐城白菜论坛都对所使用的频谱具有连反应。 Sub-GHz 868 MHz 和 902 MHz 频带拥塞了许多不同类型的链路,这意味着扩频或跳频根本不可行,而 2.4 GHz 频带不仅包含低功耗的 ZigBee 协议,还需为 Wi-Fi蓝牙提供空间,也需要消除来自微波炉及其他工业系统的常见干扰。

在此举例说明一项挑战:只有少数的 ZigBee 通道不与 Wi-Fi 重叠(通道 15、20、25 和 26),因此干扰可忽略不计,而其余的每个 Wi-Fi 通道都有四个重叠 ZigBee 通道。 PER(分组差错率)的降低与干扰源和接收器之间的距离以及中心频率差(干扰源和接收器之间)有密切的关系,让使用 2.4GHz 频带的系统设计者面临巨大挑战。

Decawave 不是直接去消除干扰,而是结合使用 3.5 GHz 至 6.5 GHz 频带和超宽带协议,实现更高的数据速率,从而提高抗干扰性。 DecaWave 的 DW1000 芯片是一种完整的单芯片 CMOS 超宽带 IC,基于 IEEE802.15.4-2011 标准。 它是 ScenSor(寻找控制执行网络检测服从回应)部件系列的第一款产品,在 110 kbps、850 kbps 和 6.8 Mbps 的数据速率下工作,并且由于更高的频率,也可以在室内外定位带标签的物体,精度达 10 cm。

如何最大程度的降低无线工业控制系统中的干扰影响

图 1:DW1000 收发器框图。

本娱乐城白菜论坛不仅可实现高可靠性链路以进行精确室内定位,还为工厂自动化提供可靠通信,特别是在偏远或难以接近的位置。 由于 DW1000 允许同时进行精准的时间测量和数据通信,所以在实时定位系统 (RTLS)、室内定位系统以及物联网和无线传感器网络的开发过程中,它的应用十分广泛。

工厂自动化设备供应商可以将该娱乐城白菜论坛融入自动化和监控工具,位置精度达 10 cm,而 Wi-Fi RTLS 的位置精度为 3 至 5 m。 由于使用的频率更高,因此数据速率高达 6.8 Mbit/s,而 ZigBee 和 Wi-Fi 的数据速率分别只有 250 kbit/s 和 1 Mbit/s。

所采用的协议为 802.15.4a 标准,组合使用突发位置调制 (BPM) 和二进制相移键控 (BPSK)。 BPM-BPSK 组合用于调制符号,每个符号由一连串超宽带脉冲组成,可以增强在任一特定频率下的抗干扰能力。 该芯片还组合六通道频分多址 (FDMA) 与码分多址 (CDMA) 娱乐城白菜论坛,每个通道使用两种不同的码元,进一步优化通道链路与降低干扰。 然后再结合 FEC 和 CRC 纠错,确保干扰不会影响信号。

此娱乐城白菜论坛还对多路干扰具有内置抗扰功能,因为脉冲的频带反射较小且更易消散。

DW1000 采用 2.8 V 至 3.6 V 单电源,并具有 31 mA 以上的发射模式电流和 64 mA 以上的接收模式电流以实现低功耗运行。

对于 sub-GHz 频带,Linx Technologies 已开发出一种收发器,用于可靠的长距离遥控和传感器应用。 TRM-900-TT 包含高度优化的跳频扩频 (FHSS) 射频收发器和集成的遥控转码器。 FHSS 系统可实现更高的功率,而且干扰更少,因此可以提供比窄频无线电更长的距离。

此模块在 902 至 928 MHz 的频带中工作,具有 -112 dBm 的典型灵敏度。 基础版能够产生 +12.5 dBm 的发射器输出功率,在典型 0 dB 增益天线环境下的工厂链路中达到超过 2 英里(3.2 公里)的传输距离。 高功率款输出功率为 +23.5 dBm,传输距离可达 8 英里(12.8 公里)。?

RF 合成器包含 VCO 和低噪声小数 N 分频 PLL。 VCO 的运行频率是基础频率的两倍,这样可以减少容易引起干扰的杂散发射,因此传输距离更长。 接收和发射合成器经过集成,可以自动配置以实现最佳的相位噪声、调制质量和稳定时间。

接收器集成高效低噪声放大器,提供高达 -112 dBm 的灵敏度,而且 Linx 已开发出先进的干扰拦截娱乐城白菜论坛,可以使收发器在存在 sub-GHz 频带的干扰时极其稳定可靠。

诸如 Digi 的 XBee 等模块允许设计人员使用 802.15.4 协议,在 2.4 GHz 和 900 MHz 频带间移动。 这些嵌入式射频模块拥有多个平台共享的通用封装,包括多点和 ZigBee/网格拓扑结构以及 2.4 GHz 和 900 MHz 解决方案。 部署 XBee 的开发人员可以根据动态应用需求替换 XBee,所需开发工作极少,2.4 GHz 版本适用于全球部署,900 MHz 版本适用于更长距离或需要更强抗干扰性的环境。

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图 2:Digi XBee 模块在 2.4 GHz 和 900 MHz 应用中具有相同的基底面。

开发人员选择使用此模块的主要原因是为了规避干扰。 此模块不仅可以屏蔽电磁干扰,还能优化天线路径设计以降低来自电子装置其余部分和来自外部的干扰。?

Atmel 的 ATZB-S1-256-3-0-C ZigBit 低功率 2.4 GHz 模块是传统的 ZigBee 模块,结合了低功率 AVR 8 位微控制器和高数据速率收发器,可提供 250 kb/s 至 2 Mb/s 的高数据速率、帧处理、高接收灵敏度和高发射输出功率,从而实现稳定可靠的无线通信。 此模块设计用于无线感应、监控、控制和数据采集应用。

如何最大程度的降低无线工业控制系统中的干扰影响

图 3:Atmel 的 ATZB-S1-256-3-0-C ZigBit 模块图。

为了消除干扰,IEEE802.15.4 标准支持两个基于 DSSS(直接序列扩频)的 PHY 选项。 2.4 GHz PHY 采用 Q-QPSK 调制,而 780/868/915 MHz 采用 BPSK(二进制相移键控)调制,二者都能提供良好的 BER(比特差错率)性能。 为了突显在这些较低频带使用跳频的挑战,802.15.4 物理层提供了 31 个通道,其中在 780 MHz 频带 4 个(面向中国)(802.15.4c),在 868 MHz 频带 1 个(面向欧洲),在 915 MHz 频带 10 个(面向北美),在 2.4 GHz 频带 16 个(全球范围)。

有时需要在器件内部解决干扰。 Texas Instruments 的 WL1835MOD 在单个器件中结合了 Wi-Fi MIMO 与蓝牙 4.0 链路,因此在管理跨通道干扰时存在关键挑战。

如何最大程度的降低无线工业控制系统中的干扰影响

图 4:TI 的 WL1835MOD 能够消除在同一芯片上运行 Wi-Fi 和蓝牙时产生的干扰。

该芯片包括集成的 Wi-Fi 2.4 GHz 功率放大器 (PA)、采用 20 MHz 或 40 MHz SISO(单天线)和 20 MHz MIMO(多天线)设计并且能够处理 802.11b/g 和 802.11n 数据速率的基带处理器,以及蓝牙无线电前端。

为此,需要创新先进的共存方案。 此项工作在 MAC 层完成,以实现在 2.4GHz 频带协调使用所有带宽。 在任何时候,所有的可用带宽可以专用于 802.11 或蓝牙,只要其中一个是空闲状态。 例如,当未建立蓝牙通信时,全部带宽均可支持 802.11n 通信,速度高达 54 Mbit/s。 或者,当 802.11 无线电空闲时,2.4 GHz 范围内的全部带宽均可用于蓝牙通信。 为了确保特定类型的关键通信(主要是音频通道)质量,共存解决方案可以根据通信的时间敏感特性,智能地设置不同优先级。

结论

有许多方式可以最大程度地降低干扰的影响:撤离拥塞的频带;使用扩频和跳频娱乐城白菜论坛;使用更灵敏的接收器、更高功率的发射器和经优化可降低外部信号影响的布局,以强化链路。 上述方法允许工业自动化设备设计人员权衡链路预算与链路距离,以便实施符合需要的高可靠性链路。?

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和特点 产品详情 AD53509是一款单芯片器件,用于在ATE VLSI和存储器测试仪中执行驱动器、比较器和有源负载的引脚电子功能。此外,它还内置一个用于有源负载的肖特基二极管桥和一个VCOM缓冲器。 驱动器采用专有设计,提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。输出电压范围为?2 V至+7 V,支持多种测试设备。整个信号范围内的输出漏电流典型值小于250 nA。 双通道比较器的输入范围与驱动器输出范围相同,内置锁存器并提供ECL兼容型输出。输出能够驱动端接到?2 V电压的50 Ω信号线路。信号跟踪能力大于>5 V/ns。有源负载可以用来提供最高40 mA的负载电流,整个设置范围内的线性度误差小于10 μA。IOH、IOL和缓冲VCOM均可独立调整。片上肖特基二极管具有高速开关和低电容特性。 片内还集成温度传感器,其作用是指示DCL的表面温度。可以利用此信息来测量θJC和θJA,或者在失去正常冷却功能时提示报警。传感器输出是一个与绝对温度成比例的吸电流。增益被调整到1.0 μA/K的标称值。例如,可以利用一个连接在10 V电压与THERM引脚之间的10 kΩ电阻来检测输出电流。该电阻上的压降为...
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AD53509G 单芯片、高性能驱动器/比较器有源负载

ADATE305 250 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

和特点 驱动器欲了解更多信息,请参考数据手册比较器窗口和差分比较器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU欲了解更多信息,请参考数据手册电平欲了解更多信息,请参考数据手册HVOUT输出缓冲器输出范围:0 V至13.5 V100引脚14 mm × 14 mm TQFP_EP封装功耗:每通道900 mW(空载) 产品详情 ADATE305是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位一起使用时,有利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压,ADATE305支持两种输出电压范围:?2.0 V至+6.0 V和?1.5 V至+6.0 V。ADATE305既可以用作双单端驱动/接收通道,也可以用作单差分驱动/接收通道。每个通道都提供用于功能测试的高速窗口比较器,以及带FV/FI和MV/MI功能的单引脚PMU。DCL功能所需的全部直流电平都由片内14位DAC产生。单引脚PMU具有一...
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ADATE305 250 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

ADATE304 200 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

和特点 驱动器3电平驱动器,提供高阻态模式和内置箝位电路精密调整的输出电阻低泄漏模式:<10 nA(典型值)电压范围:?2.0 V至+6.0 V脉冲宽带:2.4 ns(最小值),2 V端接比较器窗口和差分比较器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU驱动电压范围:?2.0 V至+6.0 V5种电流范围:32 mA、2 mA、200 ?A、20 ?A、2 ?A电平14位DAC提供DCL电平校准的INL典型值小于±5 mV16位DAC提供PMU电平FV模式下校准的INL线性度典型值小于±1.5 mVHVOUT输出缓冲器输出范围:0 V至13.5 V84引脚、9 mm × 9 mm倒装芯片BGA封装 功耗:每通道900 mW(空载) 产品详情 ADATE304是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位一起使用时,有利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压,ADATE304支持两种输出电压范围:...
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ADATE304 200 MHz双通道集成DCL,提供电平设置DAC、单引脚PMU和单芯片(Per Chip) VHH功能

LTC2942-1 具内部检测电阻器和温度/电压测量功能的 1A 电池电量测量芯片

和特点 可指示累积的电池充电和放电电量 SMBus/I2C 接口 集成 50mΩ 高端检测电阻器 ±1A 检测电流范围 高准确度模拟积分 ADC 负责测量电池电压和温度 集成化温度传感器 1% 电压和充电准确度 可配置报警输出/充电完成输入 2.7V 至 5.5V 工作范围 静态电流小于 100μA 小外形 6 引脚 2mm x 3mm DFN 封装 产品详情 LTC?2942-1 可测量手持式 PC 和便携式产品应用中的电池充电状态、电池电压和芯片温度。其工作范围非常适合于单节锂离子电池。一个精准的库仑计量器负责对流经位于电池正端子和负载或充电器之间的一个检测电阻器的电流进行积分运算。电池电压和片内温度利用一个内部 14 位无延迟增量累加 (No Latency ΔΣ?) ADC 来测量。所测量的三种物理参数值 (电荷、电压和温度) 被存储于可通过板上 SMBus/I2C 接口进行存取的内部寄存器中。 LTC2942-1 具有针对所有三种测量物理量的可编程高门限和低门限。如果超过了某个编程门限,则该器件将采用 SMBus 报警协议或通过在内部状态寄存器中设定一个标记来传送一个报警信号。 集成检测电阻 LTC2942 否 LTC2942-1 是 应用 低功率手持式产品 蜂窝电话 M...
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LTC2942-1 具内部检测电阻器和温度/电压测量功能的 1A 电池电量测量芯片

HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

和特点 宽带宽: DC - 50 GHz 9款衰减器产品:固定电平:0、2、3、4、6、10、15和20 dB 功率处理: +25 dBm HMC651和HMC658裸片尺寸: 0.57 x 0.45 x 0.1 mm HMC650, HMC652, HMC653, HMC654,?HMC655, HMC656 和HMC657裸片尺寸: 0.42 x 0.45 x 0.1 mm产品详情 HMC650/651/652/653/654/655/656/657/658是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。 宽带衰减器采用低电感片内过孔,无需额外的接地连接。 HMC650至HMC658背面镀金,适合共晶或环氧树脂芯片贴装。 所有9款产品均可通过相应的产品型号单独购买,或购买HMC-DK006固定衰减器芯片设计套件(含10件)。应用 光纤产品 微波无线电 军事和太空混合器件 测试与测量 科研仪器 RF/微波电路原型制作 方框图...
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HMC655-DIE 固定、6 dB无源衰减器芯片,DC - 50 GHz

HMC365-DIE InGaP HBT 4分频芯片,DC - 13 GHz

和特点 超低SSB相位噪声: -151 dBc/Hz 宽带宽 输出功率: 5 dBm 单直流电源: +5V 小尺寸: 1.30 x 0.69 x 0.1 mm 产品详情 HMC365是低噪声的4分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT娱乐城白菜论坛,拥有1.30 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波输入)至13 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-151 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 应用 卫星通信系统 光纤产品 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT方框图...
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HMC365-DIE InGaP HBT 4分频芯片,DC - 13 GHz

HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +16 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.2 x 1.22 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH209是一款高动态范围、两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为55至65 GHz。 HMCABH209提供13 dB增益,采用+5V电源电压时具有+16 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 /p>HMC-ABH209 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
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HMC-ABH209 中等功率放大器芯片,55 - 65 GHz

HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 增益: 16 dB (76 GHz) P1dB: +15 dBm 电源电压: +4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.20 x 0.87 x 0.1 mm 产品详情 HMC-AUH320是一款高动态范围的四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至86 GHz的频率下工作。 HMC-AUH320在74 GHz频率下提供16 dB的增益,在1 dB压缩点提供+15 dBm的输出功率,采用+4V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-AUH320 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
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HMC-AUH320 中等功率放大器芯片,71 - 86 GHz

HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

和特点 P1dB输出功率: +12 dBm 增益: 12.5 dB 输出IP3: +19 dBm 电源电压: +8V (80 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸:3.12 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 HMC562是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器裸片,在2至35 GHz的频率下工作。 该放大器提供12.5 dB增益,+27 dBm输出IP3和12 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为80 mA(采用+8V电源)。 HMC562非常适合EW、ECM和雷达驱动放大器应用。 HMC562放大器I/O是隔直的,内部匹配50 Ω阻抗,方便集成到多芯片模块(MCM)。 所有数据均由通过最短0.31mm (12 mil)的两条0.075mm (3 mil)线焊带连接的芯片获取。应用 军事和太空 测试仪器仪表 光纤产品 方框图...
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HMC562 宽带驱动放大器芯片,2 - 35 GHz

HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

和特点 噪声系数: 2 dB 增益: 16 dB (40 GHz) P1dB输出功率: +6 dBm 电源电压: +4V (87 mA) 裸片尺寸: 2.7 x 1.44 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH376是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片,工作频率范围为35至45 GHz。该放大器提供16 dB增益、2 dB噪声系数和+6 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V单电源时功耗仅为87 mA。由于尺寸较小(3.9 mm?),这款自偏置LNA适合集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
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HMC-ALH376 低噪声放大器芯片,35 - 45 GHz

HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

和特点 噪声系数: 2.8 dB 增益: 15 dB OIP3: 23 dBm 单电源: +3V (65 mA) 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC519是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片,工作频率范围为18至32 GHz。 HMC519提供15 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数及高于23 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小,该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.075 mm (3 mil)、最小长度0.31 mm (12 mil)的焊线连接。 也可用两根直径为0.025mm (1 mil)的焊线进行RFIN和RFOUT连接。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军事和太空 方框图...
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HMC519-DIE GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz

HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

和特点 噪声系数: <5 dB P1dB: +7 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +2.4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH508是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为71至86 GHz。 HMC-ALH508具有13 dB小信号增益、4.5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB压缩),分别采用2.1V和2.4V两个电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线局域网(LAN) 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...
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HMC-ALH508 低噪声放大器芯片,71 - 86 GHz

AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

和特点 出众的性能高单位增益带宽:50 MHz低电源电流:5.3 mA高压摆率:300 V/?s出色的视频特性驱动任何容性负载快速的0.1%建立时间(10 V步进):65 ns出色的直流性能5.5 V/mV高开环增益(PLOAD = 1 kΩ)低输入失调电压:0.5 mV额定工作电压:±5 V和±15 V提供多种选择塑料DIP和SOIC封装Cerdip封装裸片形式MIL-STD-883B工艺卷带和卷盘(EIA-481A标准)提供双通道版本:AD827(8引脚)LM6361的增强替代产品 产品详情 AD847代表高速放大器的一个突破,实现了低成本、低功耗的出众交流和直流性能。出色的直流性能表现在它±5 V的规格值,包括3500 V/V的开环增益(500Ω负载)和0.5 mV的低输入失调电压。共模抑制最低为78 dB。输出电压摆幅为±3 V(负载低至150Ω)。ADI公司还提供其他超过30种高速放大器,从低噪声AD829(1.7nV/√Hz)到终极的视频放大器AD811(差分增益0.01%,差分相位0.01°)。 方框图...
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AD847 高速、低功耗、单芯片运算放大器

HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

和特点 噪声系数: 2.5 dB (20 GHz) 增益: 18 dB P1dB输出功率: +14 dBm 电源电压: +4V (90 mA) 裸片尺寸: 2.25 x 1.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH216是一款GaAs MMIC HEMT宽带低噪声放大器芯片,工作频率范围为14至27 GHz。该放大器提供18 dB增益、2.5 dB噪声系数和+14 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+4V电源电压时功耗仅为90 mA。由于尺寸较小,HMC-ALH216放大器适合集成到多芯片模块(MCM)中。应用 点对点无线电 点对多点无线电 军事和太空 测试仪器仪表 方框图...
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HMC-ALH216 低噪声放大器芯片,14 - 27 GHz

HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm?),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ?测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C?I 空间电信方框图...
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HMC396 InGaP HBT增益模块放大器芯片,DC - 8 GHz

HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

和特点 输出IP3: +31 dBm P1dB: +22 dBm 增益: 20 dB (20 GHz) 电源电压: +4.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 产品详情 HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V电源电压时具有+22 dBm输出功率(1 dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 0次 阅读
HMC-APH196 中等功率放大器芯片,17 - 30 GHz

HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 0次 阅读
HMC-ABH241 中等功率放大器芯片,50 - 66 GHz

HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

和特点 宽IF带宽: DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管娱乐城白菜论坛,可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测试和测量设备 方框图...
发表于 02-22 12:07 ? 17次 阅读
HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片,70 - 90 GHz

ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差:±2% 复位时间延迟:200 ms或可调 待机电流:1 ?A 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案,可实现微处理器系统中的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器复位、备用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源故障警告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能:启动、关断和掉电情况下的上电复位输出。即使VCC低至1 V,电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换,则提供复位脉冲。1.25 V阈值检波器,用于电源故障警告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...
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ADM691A 微处理器电源监控器,内置备用电池切换、可调复位周期与可调看门狗周期、芯片使能信号、看门狗、备用电池功能和4.65V阈值电压、低VCC状态输出、250MA输出电流特性

MAT14 匹配单芯片四通道晶体管

和特点 低失调电压:400 μV(最大值) 高电流增益:300(最小值) 出色的电流增益匹配度:4%(最大值) 低电压噪声密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大值) 出色的对数一致性:体电阻 rBE = 0.6 Ω (最大值) 所有晶体管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管,具有出色的参数匹配性能,适合精密放大器和非线性电路应用。MAT14的性能特征包括:在很宽的集电极电流范围内提供高增益(最小300)、低噪声(在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz)以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV,精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。为使参数匹配(失调电压、输入失调电流和增益匹配),双晶体管组合中的每个晶体管均经过验证,达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温度范围内保证器件性能。匹配参数的长度稳定性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β和匹配特性下降。MAT14的出色对数一致性和精确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...
发表于 02-22 12:01 ? 28次 阅读
MAT14 匹配单芯片四通道晶体管