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SST26VF016/SST26VF032中文资料数据手册PDF免费下载(串行闪存)
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串行四 I/O（SQI™）闪存器件系列采用 4 位复用 I/O 接口，可在低引脚数封装内实现低功耗和高性能的工作。使用 SQI 闪存器件的系统设计占用的电路板空间较少，最终可降低系统成本。 26 串行 SQI 系列的所有成员均采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash® 娱乐城白菜论坛制造。与其他方法相比，分离栅极单元设计（Split-gate cell design）和厚氧化层隧穿注入器（Thick-oxide tunneling injector）可实现更高的可靠性和可制造性。 SST26VF016/032 可以显著提高性能和可靠性，同时降低功耗。这些器件使用 2.7-3.6V 的单电源进行写操作（编程或擦除）。消耗的总能量是应用中施加电压、电流和时间的函数。对于任何给定的电压范围， SuperFlash 娱乐城白菜论坛的编程电流更低、擦除时间更短；因此，在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存娱乐城白菜论坛。 SST26VF016/032 提供 8 触点 WSON （6 mm x 5 mm）和 8 引脚 SOIC （200 mil）封装。有关引脚分配，请参见图 2。
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